casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W632GU8KT-12
codice articolo del costruttore | W632GU8KT-12 |
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Numero di parte futuro | FT-W632GU8KT-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU8KT-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-VFBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8KT-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W632GU8KT-12-FT |
W9825G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9864G6IH-6
Winbond Electronics
W9864G6JH-5
Winbond Electronics
W9864G6JH-6I
Winbond Electronics
W9864G6KH-5
Winbond Electronics
W9864G6KH-5 TR
Winbond Electronics
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Winbond Electronics
W9864G6KH-6I
Winbond Electronics
W9864G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W19B320ABB7H
Winbond Electronics
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation