casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W632GG8MB15I
codice articolo del costruttore | W632GG8MB15I |
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Numero di parte futuro | FT-W632GG8MB15I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG8MB15I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 667MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-VFBGA (10.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB15I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W632GG8MB15I-FT |
W9825G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9864G6IH-6
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W9864G6JH-5
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W9864G6JH-6I
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W9864G6KH-5
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W9864G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9864G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9864G6KH-6I
Winbond Electronics
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
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XC3S1000-4FG320I
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XC4020XL-2BG256I
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XC5VLX50-1FFG676I
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