casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W631GG6MB12J
codice articolo del costruttore | W631GG6MB12J |
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Numero di parte futuro | FT-W631GG6MB12J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
W631GG6MB12J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | - |
Formato di memoria | - |
Tecnologia | - |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W631GG6MB12J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W631GG6MB12J-FT |
W25Q16CVSSJG TR
Winbond Electronics
W25Q16CVSSJP
Winbond Electronics
W25Q16CVSSJP TR
Winbond Electronics
W25Q16CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q16CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q16CVZPJP
Winbond Electronics
W25Q16CVZPJP TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSNJG
Winbond Electronics
W25Q16DVSNJG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSNJP
Winbond Electronics
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel