casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W29N01GVDIAA
codice articolo del costruttore | W29N01GVDIAA |
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Numero di parte futuro | FT-W29N01GVDIAA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W29N01GVDIAA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (8x6.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N01GVDIAA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W29N01GVDIAA-FT |
W9816G6IB-6
Winbond Electronics
W9816G6JB-6
Winbond Electronics
W9816G6JB-6 TR
Winbond Electronics
W9816G6JB-6I
Winbond Electronics
W9816G6JB-6I TR
Winbond Electronics
W9864G6JB-6
Winbond Electronics
W29GL032CH7T
Winbond Electronics
W29GL032CL7T
Winbond Electronics
W29GL064CH7T
Winbond Electronics
W29GL064CL7T
Winbond Electronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel