casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W25Q64CVSFJG
codice articolo del costruttore | W25Q64CVSFJG |
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Numero di parte futuro | FT-W25Q64CVSFJG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q64CVSFJG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVSFJG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W25Q64CVSFJG-FT |
IS61NLP25618A-200B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS51236A-250B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS51236A-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
BU9883FV-WE2
Rohm Semiconductor
TC58CVG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG2S0HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
W25Q32JVSFIQ
Winbond Electronics
W25Q64JVSFIQ
Winbond Electronics
GD25Q64CFIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel