casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO80-18NO1
codice articolo del costruttore | VUO80-18NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO80-18NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO80-18NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 82A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO80-18NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO80-18NO1-FT |
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
GBJ3510-BP
Micro Commercial Co
GBJ1006-BP
Micro Commercial Co
GBJ3506-BP
Micro Commercial Co
GBJ2508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1510-BP
Micro Commercial Co
GBJ2506-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel