casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO80-18NO1
codice articolo del costruttore | VUO80-18NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO80-18NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO80-18NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 82A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO80-18NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO80-18NO1-FT |
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
GBJ3510-BP
Micro Commercial Co
GBJ1006-BP
Micro Commercial Co
GBJ3506-BP
Micro Commercial Co
GBJ2508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1510-BP
Micro Commercial Co
GBJ2506-BP
Micro Commercial Co
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel