casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO80-14NO1
codice articolo del costruttore | VUO80-14NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO80-14NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO80-14NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 82A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO80-14NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO80-14NO1-FT |
GBPC3504-BP
Micro Commercial Co
GBPC2510-BP
Micro Commercial Co
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
GBJ3510-BP
Micro Commercial Co
GBJ1006-BP
Micro Commercial Co
GBJ3506-BP
Micro Commercial Co
GBJ2508-BP
Micro Commercial Co
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel