casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO80-08NO1
codice articolo del costruttore | VUO80-08NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO80-08NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO80-08NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 82A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO80-08NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO80-08NO1-FT |
GBPC3506-BP
Micro Commercial Co
GBPC3501-BP
Micro Commercial Co
GBPC3504-BP
Micro Commercial Co
GBPC2510-BP
Micro Commercial Co
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
GBJ3510-BP
Micro Commercial Co
GBJ1006-BP
Micro Commercial Co
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel