casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO55-12NO7
codice articolo del costruttore | VUO55-12NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO55-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO55-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 58A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO55-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO55-12NO7-FT |
MB356W
Micro Commercial Co
MB356W-BP
Micro Commercial Co
MB358W
Micro Commercial Co
MB358W-BP
Micro Commercial Co
LMB10S-TP
Micro Commercial Co
KBP210G-BP
Micro Commercial Co
KBP208G-BP
Micro Commercial Co
KBP206G-BP
Micro Commercial Co
KBP204G-BP
Micro Commercial Co
KBP202G-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation