casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO52-18NO1
codice articolo del costruttore | VUO52-18NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO52-18NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO52-18NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 54A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO52-18NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO52-18NO1-FT |
KBJ610G-BP
Micro Commercial Co
GBPC3510-BP
Micro Commercial Co
GBPC3506-BP
Micro Commercial Co
GBPC3501-BP
Micro Commercial Co
GBPC3504-BP
Micro Commercial Co
GBPC2510-BP
Micro Commercial Co
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel