casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO52-16NO1
codice articolo del costruttore | VUO52-16NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO52-16NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO52-16NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 54A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO52-16NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO52-16NO1-FT |
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
GBJ5006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2510-BP
Micro Commercial Co
GBJ3510-BP
Micro Commercial Co
GBJ1006-BP
Micro Commercial Co
GBJ3506-BP
Micro Commercial Co
GBJ2508-BP
Micro Commercial Co
GBJ1510-BP
Micro Commercial Co
GBJ2506-BP
Micro Commercial Co
GBJ1004-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation