casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO52-12NO1
codice articolo del costruttore | VUO52-12NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO52-12NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO52-12NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 54A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO52-12NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO52-12NO1-FT |
KBP410G-BP
Micro Commercial Co
KBP2005G-BP
Micro Commercial Co
KBJ610G-BP
Micro Commercial Co
GBPC3510-BP
Micro Commercial Co
GBPC3506-BP
Micro Commercial Co
GBPC3501-BP
Micro Commercial Co
GBPC3504-BP
Micro Commercial Co
GBPC2510-BP
Micro Commercial Co
GBPC2501-BP
Micro Commercial Co
GBJ806-BP
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel