casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO50-12NO3
codice articolo del costruttore | VUO50-12NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO50-12NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO50-12NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 58A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO50-12NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO50-12NO3-FT |
MB358W
Micro Commercial Co
MB358W-BP
Micro Commercial Co
LMB10S-TP
Micro Commercial Co
KBP210G-BP
Micro Commercial Co
KBP208G-BP
Micro Commercial Co
KBP206G-BP
Micro Commercial Co
KBP204G-BP
Micro Commercial Co
KBP202G-BP
Micro Commercial Co
KBP201G-BP
Micro Commercial Co
KBP408G-BP
Micro Commercial Co
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel