casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO36-08NO8
codice articolo del costruttore | VUO36-08NO8 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO36-08NO8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO36-08NO8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 27A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.04V @ 15A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 5-Square, FO-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO36-08NO8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO36-08NO8-FT |
GBJ3504-BP
Micro Commercial Co
GBJ1001-BP
Micro Commercial Co
GBJ35005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1008-BP
Micro Commercial Co
GBJ2010-BP
Micro Commercial Co
GBJ10005-BP
Micro Commercial Co
GBJ2006-BP
Micro Commercial Co
GBJ2504-BP
Micro Commercial Co
GBJ15005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1504-BP
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel