casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO35-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO35-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO35-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO35-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO35-14NO7-FT |
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
VBO125-16NO7
IXYS
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel