casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO30-18NO3
codice articolo del costruttore | VUO30-18NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO30-18NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO30-18NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 37A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.55V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO30-18NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO30-18NO3-FT |
VBE100-06NO7
IXYS
VBE100-12NO7
IXYS
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel