casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO30-16NO3
codice articolo del costruttore | VUO30-16NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO30-16NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO30-16NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 37A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.55V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO30-16NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO30-16NO3-FT |
UGD8124AG
IXYS
VBE100-06NO7
IXYS
VBE100-12NO7
IXYS
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel