casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO30-12NO3
codice articolo del costruttore | VUO30-12NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO30-12NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO30-12NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 37A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.55V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO30-12NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO30-12NO3-FT |
UGB6124AG
IXYS
UGD6123AG
IXYS
UGD8124AG
IXYS
VBE100-06NO7
IXYS
VBE100-12NO7
IXYS
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel