casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO190-14NO7
codice articolo del costruttore | VUO190-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO190-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO190-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 248A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 80A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO190-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO190-14NO7-FT |
DB104
Micro Commercial Co
DB105
Micro Commercial Co
DB106
Micro Commercial Co
DB107
Micro Commercial Co
2KBP10-BP
Micro Commercial Co
2KBP08-BP
Micro Commercial Co
2KBP04-BP
Micro Commercial Co
2KBP06-BP
Micro Commercial Co
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel