casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO16012NO7
codice articolo del costruttore | VUO16012NO7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VUO16012NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO16012NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 175A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 60A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO16012NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO16012NO7-FT |
RS505-G
Comchip Technology
RS506-G
Comchip Technology
T483B
Sensata-Crydom
T485F
Sensata-Crydom
T485G
Sensata-Crydom
TS15P05G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P05G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P06G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P06G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P07G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel