casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO120-12NO2T
codice articolo del costruttore | VUO120-12NO2T |
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Numero di parte futuro | FT-VUO120-12NO2T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO120-12NO2T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.59V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO120-12NO2T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO120-12NO2T-FT |
RM20TPM-2H
Powerex Inc.
RM30TPM-H
Powerex Inc.
RM75TPM-2H
Powerex Inc.
RM75TPM-H
Powerex Inc.
RS502-G
Comchip Technology
RS503-G
Comchip Technology
RS505-G
Comchip Technology
RS506-G
Comchip Technology
T483B
Sensata-Crydom
T485F
Sensata-Crydom
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel