casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO120-12NO1
codice articolo del costruttore | VUO120-12NO1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VUO120-12NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO120-12NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 121A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.59V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO120-12NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO120-12NO1-FT |
PB38-BP
Micro Commercial Co
RM20TPM-2H
Powerex Inc.
RM30TPM-H
Powerex Inc.
RM75TPM-2H
Powerex Inc.
RM75TPM-H
Powerex Inc.
RS502-G
Comchip Technology
RS503-G
Comchip Technology
RS505-G
Comchip Technology
RS506-G
Comchip Technology
T483B
Sensata-Crydom
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel