casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB72-12NOXT
codice articolo del costruttore | VUB72-12NOXT |
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Numero di parte futuro | FT-VUB72-12NOXT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB72-12NOXT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V1A-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V1A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB72-12NOXT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB72-12NOXT-FT |
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
MSDM50-18
Microsemi Corporation
MSDM75-08
Microsemi Corporation
MSDM75-12
Microsemi Corporation
MSDM75-18
Microsemi Corporation
MT800
Microsemi Corporation
PB305-BP
Micro Commercial Co
PB31-BP
Micro Commercial Co
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel