casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB50-12PO1
codice articolo del costruttore | VUB50-12PO1 |
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Numero di parte futuro | FT-VUB50-12PO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB50-12PO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 56A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 45A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB50-12PO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB50-12PO1-FT |
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
MSDM50-18
Microsemi Corporation
MSDM75-08
Microsemi Corporation
MSDM75-12
Microsemi Corporation
MSDM75-18
Microsemi Corporation
MT800
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation