casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUB160-16NOXT
codice articolo del costruttore | VUB160-16NOXT |
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Numero di parte futuro | FT-VUB160-16NOXT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB160-16NOXT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | V2-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-16NOXT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUB160-16NOXT-FT |
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
MSDM50-18
Microsemi Corporation
MSDM75-08
Microsemi Corporation
MSDM75-12
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C5N
Intel
EPF10K30AQI240-3N
Intel