casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / VTVS58ASMF-HM3-08
codice articolo del costruttore | VTVS58ASMF-HM3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-VTVS58ASMF-HM3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
VTVS58ASMF-HM3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 57.6V |
Voltage - Breakdown (Min) | 64.6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 98V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.89A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | 245pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS58ASMF-HM3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VTVS58ASMF-HM3-08-FT |
VTVS17ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17GSMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS17GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS19ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel