casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / VTVS3V3GSMF-M3-18
codice articolo del costruttore | VTVS3V3GSMF-M3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-VTVS3V3GSMF-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
VTVS3V3GSMF-M3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.3V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.57V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 43.99A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 2095pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS3V3GSMF-M3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VTVS3V3GSMF-M3-18-FT |
VTVS10GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11GSMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11GSMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS11GSMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation