casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / VTVS33GSMF-M3-08
codice articolo del costruttore | VTVS33GSMF-M3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VTVS33GSMF-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
VTVS33GSMF-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 33.3V |
Voltage - Breakdown (Min) | 38.27V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 55V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 7.11A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 379pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS33GSMF-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VTVS33GSMF-M3-08-FT |
VTVS28ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS33ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS5V0ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS5V0ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS63ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10GSMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel