casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VT3060G-M3/4W
codice articolo del costruttore | VT3060G-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VT3060G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VT3060G-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 850µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT3060G-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VT3060G-M3/4W-FT |
VS-16CTQ080HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel