casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF5M6-M3/I
codice articolo del costruttore | VSSAF5M6-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF5M6-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5M6-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 580pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5M6-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF5M6-M3/I-FT |
1N5712-1
Microsemi Corporation
1N5712UR-1
Microsemi Corporation
1N6677-1
Microsemi Corporation
1N6677UR-1
Microsemi Corporation
1N6761
Microsemi Corporation
1N6857-1
Microsemi Corporation
1N6857UR-1
Microsemi Corporation
1N6858-1
Microsemi Corporation
1N6858UR-1
Microsemi Corporation
1N6864
Microsemi Corporation
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel