casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF3M6-M3/H
codice articolo del costruttore | VSSAF3M6-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF3M6-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3M6-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3M6-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF3M6-M3/H-FT |
UG06A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel