casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSA36S-M3/5AT
codice articolo del costruttore | VSSA36S-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-VSSA36S-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSA36S-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 245pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSA36S-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSA36S-M3/5AT-FT |
SS23S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel