casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSA310S-M3/61T
codice articolo del costruttore | VSSA310S-M3/61T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSSA310S-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSA310S-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.7A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSA310S-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSA310S-M3/61T-FT |
SS22SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel