casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VSIB2520-E3/45
codice articolo del costruttore | VSIB2520-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-VSIB2520-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VSIB2520-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GSIB-5S |
Pacchetto dispositivo fornitore | GSIB-5S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSIB2520-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSIB2520-E3/45-FT |
GBU10J-BP
Micro Commercial Co
GBU10B-BP
Micro Commercial Co
GBU4A-BP
Micro Commercial Co
GBU15M-BP
Micro Commercial Co
GBU8B-BP
Micro Commercial Co
GBU6K-BP
Micro Commercial Co
GBU6A-BP
Micro Commercial Co
GBU8A-BP
Micro Commercial Co
GBU6G-BP
Micro Commercial Co
GBPC6005-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel