casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSB2045Y-M3/73
codice articolo del costruttore | VSB2045Y-M3/73 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSB2045Y-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSB2045Y-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 2050pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSB2045Y-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSB2045Y-M3/73-FT |
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel