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codice articolo del costruttore | VS-VSKN105/14 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKN105/14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKN105/14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Common Anode - SCR/Diode |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR, 1 Diode |
Voltaggio - Off State | 1.4kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 105A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 235A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2000A, 2094A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3 + 4) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKN105/14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKN105/14-FT |
VS-VSKH162/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4
Intel
EP3SL70F484I4LN
Intel
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC2VP50-6FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C2L
Intel