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codice articolo del costruttore | VS-VSKN105/12 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKN105/12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKN105/12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Common Anode - SCR/Diode |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR, 1 Diode |
Voltaggio - Off State | 1.2kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 105A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 235A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2000A, 2094A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ADD-A-PAK (3 + 4) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKN105/12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKN105/12-FT |
VS-VSKH162/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCVU095-3FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA075-FG144
Microsemi Corporation
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
10M50DAF672C7G
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation