casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD236/12PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKD236/12PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD236/12PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD236/12PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 115A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD236/12PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD236/12PBF-FT |
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
Intel
10M50DCF672C8G
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel