casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD236/04PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKD236/04PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD236/04PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD236/04PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 115A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 3-MAGN-A-PAK™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | MAGN-A-PAK® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD236/04PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD236/04PBF-FT |
MBRB20H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel