casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / VS-ST1200C18K1
codice articolo del costruttore | VS-ST1200C18K1 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ST1200C18K1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-ST1200C18K1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 1.8kV |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.73V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 1650A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 3080A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 600mA |
Corrente - Off Stato (max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 25700A, 26900A |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-200AC, K-PUK, A-24 |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-24 (K-Puk) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST1200C18K1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ST1200C18K1-FT |
VS-12TTS08SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V5-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FGG320I
Xilinx Inc.
XC3S500E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
APA450-BGG456I
Microsemi Corporation
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel