casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / VS-ST1200C18K0L
codice articolo del costruttore | VS-ST1200C18K0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-ST1200C18K0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-ST1200C18K0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 1.8kV |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.73V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 1650A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 3080A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 600mA |
Corrente - Off Stato (max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 25700A, 26900A |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-200AC, K-PUK, A-24 |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-24 (K-Puk) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST1200C18K0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ST1200C18K0L-FT |
VS-10TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A1415A-1VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C2
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel