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codice articolo del costruttore | VS-P122 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-P122 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-P122 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 60mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 357A, 375A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 130mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 8-PACE-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-P122 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-P122-FT |
VSKH430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT500-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
AX125-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
5SGXEA3K1F35C2N
Intel
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40E2LG
Intel
EP2AGX190EF29C6N
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel