casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-MUR820-N3
codice articolo del costruttore | VS-MUR820-N3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-MUR820-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-MUR820-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MUR820-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MUR820-N3-FT |
HFA06TB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08TB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08TB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25TB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1035
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1035-4HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1035-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1035HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1045-10HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel