casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBRB20100CTR-M3
codice articolo del costruttore | VS-MBRB20100CTR-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBRB20100CTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-MBRB20100CTR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB20100CTR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBRB20100CTR-M3-FT |
VS-16CTQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel