casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-MBRB1635-M3
codice articolo del costruttore | VS-MBRB1635-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBRB1635-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBRB1635-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB1635-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBRB1635-M3-FT |
VS-HFA04TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel