casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-MBR2035CTHN3
codice articolo del costruttore | VS-MBR2035CTHN3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-MBR2035CTHN3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-MBR2035CTHN3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR2035CTHN3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-MBR2035CTHN3-FT |
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel