casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA30PB120HN3
codice articolo del costruttore | VS-HFA30PB120HN3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA30PB120HN3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-HFA30PB120HN3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 170ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA30PB120HN3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA30PB120HN3-FT |
VI20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100GHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel