casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA30PB120-N3
codice articolo del costruttore | VS-HFA30PB120-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA30PB120-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-HFA30PB120-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 170ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA30PB120-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA30PB120-N3-FT |
VS-ETX1506-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel