casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA16TB120-N3
codice articolo del costruttore | VS-HFA16TB120-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA16TB120-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA16TB120-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 135ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA16TB120-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA16TB120-N3-FT |
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF08
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel