casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA04TB60S-M3
codice articolo del costruttore | VS-HFA04TB60S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA04TB60S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA04TB60S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA04TB60S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA04TB60S-M3-FT |
VS-8ETU04STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel